PMCXB900UELZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMCXB900UELZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 6.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCXB900UELZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCXB900UELZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 380mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 380mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMCXB900UELZ за ціною від 5.78 грн до 30.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMCXB900UELZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCXB900UELZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMCXB900UELZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 380mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
на замовлення 5164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMCXB900UELZ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMCXB900UEL/SOT1216/DFN1010B-6 |
на замовлення 7661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMCXB900UELZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCXB900UELZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PMCXB900UELZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMCXB900UELZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 400/-300mA Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 400/-300mA Pulsed drain current: -2...2.5A Case: DFN1010B-6; SOT1216 Gate-source voltage: ±8/±8V On-state resistance: 1/2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 700pC/2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
PMCXB900UELZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 380mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMCXB900UELZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 400/-300mA Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 400/-300mA Pulsed drain current: -2...2.5A Case: DFN1010B-6; SOT1216 Gate-source voltage: ±8/±8V On-state resistance: 1/2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 700pC/2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |