![PMCM6501UPEZ PMCM6501UPEZ](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2345/MFG_WLCSP6.jpg)
PMCM6501UPEZ Nexperia USA Inc.
![PMCM6501UPE.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 20V 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tj)
Power Dissipation (Max): 556mW
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 4.5 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4500+ | 15.13 грн |
9000+ | 12.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCM6501UPEZ Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 6WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tj), Power Dissipation (Max): 556mW, Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції PMCM6501UPEZ за ціною від 13.67 грн до 39.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMCM6501UPEZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMCM6501UPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tj) Power Dissipation (Max): 556mW Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1 nC @ 4.5 V |
на замовлення 12278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PMCM6501UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -22A Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.5A Case: WLCSP6 Polarisation: unipolar On-state resistance: 43mΩ Pulsed drain current: -22A Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate charge: 29nC Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 4500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
PMCM6501UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
PMCM6501UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -22A Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.5A Case: WLCSP6 Polarisation: unipolar On-state resistance: 43mΩ Pulsed drain current: -22A Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate charge: 29nC Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |