PJS6812_S1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.57nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJS6812_S1_00001 Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.57nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6.
Інші пропозиції PJS6812_S1_00001 за ціною від 8.55 грн до 32.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJS6812_S1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.57nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 |
на замовлення 10473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PJS6812_S1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PJS6812-S1-00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET |
товар відсутній |