Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ5546-AU_R2_002A1
PJQ5546-AU_R2_002A1

PJQ5546-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.

PJQ5546-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.43 грн
10+ 54.82 грн
100+ 42.61 грн
500+ 33.89 грн
1000+ 27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5546-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA, Supplier Device Package: DFN5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ5546-AU_R2_002A1 за ціною від 25.03 грн до 75.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJQ5546-AU_R2_002A1 PJQ5546-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit PJQ5546_AU-3162082.pdf MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.05 грн
10+ 60.36 грн
100+ 40.86 грн
500+ 34.59 грн
1000+ 29.6 грн
3000+ 25.1 грн
9000+ 25.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
PJQ5546-AU_R2_002A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ5546-AU.pdf PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
товар відсутній
PJQ5546-AU_R2_002A1 PJQ5546-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5546-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній