на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.82 грн |
| 10+ | 53.96 грн |
| 100+ | 34.66 грн |
| 500+ | 28.95 грн |
| 1000+ | 24.67 грн |
| 2500+ | 22.32 грн |
| 5000+ | 18.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJQ4435EP-AU_R2_002A1 Panjit
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PJQ4435EP-AU_R2_002A1 за ціною від 20.6 грн до 54.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PJQ4435EP-AU_R2_002A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| PJQ4435EP-AU_R2_002A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|