![PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC_T0_00601](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2500/3757%7ETO220AB-L%7E%7E3.jpg)
PJMP210N65EC_T0_00601 Panjit International Inc.
![PJMP210N65EC.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.37 грн |
50+ | 121.71 грн |
100+ | 100.14 грн |
500+ | 79.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMP210N65EC_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMP210N65EC_T0_00601 за ціною від 65.32 грн до 169.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PJMP210N65EC_T0_00601 | Виробник : Panjit |
![]() |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PJMP210N65EC_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 150W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PJMP210N65EC_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 150W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |