PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 22.4 грн |
| 28+ | 13.59 грн |
| 100+ | 12.28 грн |
| 213+ | 4.11 грн |
| 585+ | 3.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor
Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PJA3433_R1_00001 за ціною від 2.64 грн до 26.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJA3433_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJA3433_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected |
на замовлення 46812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJA3433_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W Mounting: SMD Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4.4A Case: SOT23 Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.97Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJA3433_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V |
товар відсутній |