PHD13005,127

PHD13005,127 WeEn Semiconductors


PHD13005-1846800.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN BIPO 700V
на замовлення 2277 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.43 грн
11+ 31.68 грн
100+ 17.36 грн
1000+ 11.03 грн
10000+ 8.72 грн
25000+ 7.94 грн
50000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHD13005,127 WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHD13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PHD13005,127 за ціною від 12.1 грн до 50.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PHD13005,127 PHD13005,127 Виробник : WeEn Semiconductors phd13005.pdf Description: TRANS NPN 400V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 4223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.82 грн
50+ 32.26 грн
100+ 23.96 грн
500+ 17.56 грн
1000+ 14.27 грн
2000+ 12.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
PHD13005,127 PHD13005,127 Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS phd13005.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHD13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.78 грн
20+ 39.98 грн
100+ 26.73 грн
500+ 19.4 грн
1000+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 16
PHD13005,127 PHD13005,127 Виробник : WeEn Semiconductors phd13005.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Kind of package: tube
Current gain: 10...40
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
PHD13005,127 PHD13005,127 Виробник : WeEn Semiconductors phd13005.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Kind of package: tube
Current gain: 10...40
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
товар відсутній