![PHD13005,127 PHD13005,127](https://www.mouser.com/images/nxp/lrg/TO_220_3_SOT78_DSL.jpg)
PHD13005,127 WeEn Semiconductors
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 40.43 грн |
11+ | 31.68 грн |
100+ | 17.36 грн |
1000+ | 11.03 грн |
10000+ | 8.72 грн |
25000+ | 7.94 грн |
50000+ | 7.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHD13005,127 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHD13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PHD13005,127 за ціною від 12.1 грн до 50.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PHD13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 4223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PHD13005,127 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PHD13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Kind of package: tube Current gain: 10...40 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
PHD13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Kind of package: tube Current gain: 10...40 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V |
товар відсутній |