![PHD13003C,126 PHD13003C,126](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/327e9ae45a4690567fc6fd63df8581da5d0ac807/to-292wen.jpg)
PHD13003C,126 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1601+ | 7.64 грн |
1656+ | 7.39 грн |
2500+ | 7.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHD13003C,126 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2.1 W.
Інші пропозиції PHD13003C,126 за ціною від 5.21 грн до 34.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PHD13003C,126 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PHD13003C,126 | Виробник : Ween |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PHD13003C,126 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92 Kind of package: Ammo Pack Collector-emitter voltage: 700V Current gain: 8...25 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.1W Polarisation: bipolar Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PHD13003C,126 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2.1 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PHD13003C,126 | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92 Kind of package: Ammo Pack Collector-emitter voltage: 700V Current gain: 8...25 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2.1W Polarisation: bipolar Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO92 |
товар відсутній |