![PHD108NQ03LT,118 PHD108NQ03LT,118](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/568_DPak.jpg)
PHD108NQ03LT,118 NXP USA Inc.
![PHB_PHD_PHU108NQ03LT_3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 12 V
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
888+ | 23.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHD108NQ03LT,118 NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 75A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PHD108NQ03LT,118 за ціною від 36.27 грн до 36.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHD108NQ03LT,118 | Виробник : NXP |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
PHD108NQ03LT,118 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
PHD108NQ03LT,118 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 12 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
PHD108NQ03LT,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |