PHB33NQ20T,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 71.94 грн |
| 1600+ | 58.78 грн |
| 2400+ | 55.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHB33NQ20T,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції PHB33NQ20T,118 за ціною від 58.54 грн до 168.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHB33NQ20T,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PHB33NQ20T,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V |
на замовлення 5774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PHB33NQ20T,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PHB33NQ20T/SOT404/D2PAK |
на замовлення 5712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PHB33NQ20T,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PHB33NQ20T,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 200V 32.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
PHB33NQ20T,118 Код товару: 183809 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-263-3 Uds,V: 200 V Idd,A: 32 A Rds(on), Ohm: 65 mOhm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
PHB33NQ20T,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 32.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |