Продукція > NEXPERIA > PHB21N06LT,118
PHB21N06LT,118

PHB21N06LT,118 NEXPERIA

437941422632683phb_phd_php21n06lt.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+30 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB21N06LT,118 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PHB21N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції PHB21N06LT,118 за ціною від 26.55 грн до 86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 Виробник : Nexperia 437941422632683phb_phd_php21n06lt.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+32.52 грн
2400+ 30.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 Виробник : Nexperia 437941422632683phb_phd_php21n06lt.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+34.92 грн
2400+ 32.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB_PHD_PHP21N06LT.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+39.12 грн
1600+ 30.69 грн
2400+ 28.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 Виробник : NEXPERIA PHB_PHD_PHP21N06LT.pdf Description: NEXPERIA - PHB21N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB_PHD_PHP21N06LT.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.37 грн
10+ 57.13 грн
100+ 44.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 Виробник : Nexperia PHB_PHD_PHP21N06LT-2938638.pdf MOSFET PHB21N06LT/SOT404/D2PAK
на замовлення 4612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.62 грн
10+ 62.67 грн
100+ 42.93 грн
500+ 40.98 грн
800+ 29.62 грн
2400+ 27.88 грн
4800+ 26.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 Виробник : NEXPERIA PHB_PHD_PHP21N06LT.pdf Description: NEXPERIA - PHB21N06LT,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+86 грн
12+ 66.06 грн
100+ 48.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
PHB21N06LT,118 PHB21N06LT,118 Виробник : Nexperia 437941422632683phb_phd_php21n06lt.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній