Продукція > NEXPERIA USA INC. > PEMH9,315
PEMH9,315

PEMH9,315 Nexperia USA Inc.

PEMH9_PIMH9_PUMH9.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 7760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.35 грн
12+ 25.85 грн
100+ 16.11 грн
500+ 10.35 грн
1000+ 7.96 грн
2000+ 7.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PEMH9,315 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції PEMH9,315

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PEMH9,315 PEMH9,315 Виробник : NEXPERIA 2979pemh9_pimh9_pumh9.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PEMH9,315 Виробник : NEXPERIA PEMH9_PIMH9_PUMH9.pdf PEMH9.315 NPN SMD transistors
товар відсутній
PEMH9,315 PEMH9,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PEMH9_PIMH9_PUMH9.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
PEMH9,315 PEMH9,315 Виробник : Nexperia PEMH9-3081384.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NRND for Automotive Applications PEMH9/SOT666/SOT6
товар відсутній