PEMD9,315 Nexperia
на замовлення 54920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.07 грн |
14+ | 24.04 грн |
100+ | 9.27 грн |
1000+ | 6.06 грн |
2500+ | 5.85 грн |
8000+ | 5.64 грн |
24000+ | 5.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PEMD9,315 Nexperia
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-666, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції PEMD9,315
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
PEMD9,315 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
||
PEMD9,315 | Виробник : NEXPERIA | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
||
PEMD9,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |
||
PEMD9,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |