PEMB10,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 4.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PEMB10,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PEMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PEMB10,115 за ціною від 4.53 грн до 38.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PEMB10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PEMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PEMB10,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PEMB10,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors NRND for Automotive Applications PEMB10/SOT666/SOT6 |
на замовлення 15467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PEMB10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PEMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PEMB10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
PEMB10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 2.2kΩ Application: automotive industry Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SOT666 Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP x2 кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
PEMB10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 2.2kΩ Application: automotive industry Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SOT666 Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP x2 |
товар відсутній |