на замовлення 52011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 0.59 грн |
24000+ | 0.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC143ET,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PDTC143ET,215 за ціною від 0.68 грн до 9.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 52011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
на замовлення 7957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 19365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7957 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia | Digital Transistors PDTC143ET/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 27504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En | Транзистор цифровий smd; Структура = NPN; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,1; hFE = 30 @ 10 мА, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Ptot, Вт = 0,25; R1, кОм = 4,7; R2, кОм = 4,7; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 639000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : NXP Semiconductors | SOT-23 |
на замовлення 460 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |