Продукція > NEXPERIA > PDTC124XQB-QZ
PDTC124XQB-QZ

PDTC124XQB-QZ Nexperia


pdtc143x_to_124xqb-q_ser.pdf Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3402+3.55 грн
3513+ 3.44 грн
4077+ 2.96 грн
4298+ 2.71 грн
4546+ 2.37 грн
6000+ 2.15 грн
15000+ 2.02 грн
30000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3402
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC124XQB-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTC124XQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PDTC124XQB-QZ за ціною від 2.12 грн до 23.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTC124XQB-QZ PDTC124XQB-QZ Виробник : Nexperia pdtc143x_to_124xqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+9.69 грн
115+ 5.24 грн
116+ 5.19 грн
118+ 4.91 грн
182+ 2.95 грн
250+ 2.74 грн
500+ 2.36 грн
1000+ 2.24 грн
3000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 62
PDTC124XQB-QZ PDTC124XQB-QZ Виробник : NEXPERIA 3594610.pdf Description: NEXPERIA - PDTC124XQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+15.48 грн
97+ 8.13 грн
176+ 4.46 грн
500+ 3.7 грн
1000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 51
PDTC124XQB-QZ PDTC124XQB-QZ Виробник : Nexperia PDTC143X_TO_124XQB_Q_SER-2721710.pdf Digital Transistors PDTC124XQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.42 грн
30+ 10.9 грн
100+ 6.13 грн
1000+ 5.16 грн
5000+ 4.39 грн
10000+ 4.18 грн
25000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
PDTC124XQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PDTC124XQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.6 грн
23+ 12.99 грн
100+ 6.34 грн
500+ 4.97 грн
1000+ 3.45 грн
2000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 16