PDTC124EQC-QZ Nexperia
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3219+ | 3.75 грн |
| 4000+ | 3.02 грн |
| 4298+ | 2.81 грн |
| 4560+ | 2.56 грн |
| 4839+ | 2.23 грн |
| 6000+ | 2 грн |
| 15000+ | 1.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC124EQC-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTC124EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN, Bauform - Transistor: DFN1412D, Bauform - HF-Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PDTC124EQC-QZ за ціною від 1.81 грн до 24.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PDTC124EQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PDTC124EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: DFN1412D Bauform - HF-Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTC124EQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PDTC124EQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PDTC124EQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PDTC124EQC-Q/SOT8009/DFN1412D- |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTC124EQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC124EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: DFN1412D Bauform - HF-Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PDTC124EQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |