![PDTC123EU,115 PDTC123EU,115](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/beb4e6a70b3e03d0744ba2d5d04d8c7318b5cebe/sot323_3d.jpg)
PDTC123EU,115 Nexperia
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.41 грн |
9000+ | 1.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC123EU,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTC123EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PDTC123EU,115 за ціною від 0.98 грн до 15.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PDTC123EU,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PDTC123EU,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PDTC123EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PDTC123EU,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 21931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PDTC123EU,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 112554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PDTC123EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PDTC123EU,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
PDTC123EU,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PDTC123EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
PDTC123EU,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
PDTC123EU,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: SMD |
товар відсутній |