Продукція > NEXPERIA > PDTC123ET,215
PDTC123ET,215

PDTC123ET,215 NEXPERIA


182453149899372pdtc123e_series.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTC123ET,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTC123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PDTC123ET,215 за ціною від 0.84 грн до 12.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Виробник : Nexperia 182453149899372pdtc123e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.13 грн
9000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Виробник : Nexperia 182453149899372pdtc123e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9869+1.22 грн
10639+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 9869
PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.39 грн
6000+ 1.27 грн
9000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTC123E_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - PDTC123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
119+6.6 грн
166+ 4.73 грн
274+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 119
PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTC123E_SERIES.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.54 грн
53+ 5.52 грн
100+ 2.97 грн
500+ 2.19 грн
1000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Виробник : Nexperia PDTC123E_SERIES-1319575.pdf Digital Transistors PDTC123ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 96280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+7.56 грн
55+ 5.85 грн
122+ 2.3 грн
1000+ 1.53 грн
3000+ 0.91 грн
9000+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 44
PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTC123E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+10.16 грн
65+ 5.66 грн
105+ 3.47 грн
121+ 3.01 грн
250+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 39
PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTC123E_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+12.2 грн
39+ 7.06 грн
63+ 4.16 грн
100+ 3.62 грн
250+ 3 грн
711+ 1.44 грн
1955+ 1.35 грн
Мінімальне замовлення: 24
PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTC123E_SERIES.pdf Description: NEXPERIA - PDTC123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PDTC123ET,215 Виробник : NXP Semiconductors PDTC123E_SERIES.pdf Цифровой транзистор 2.2/2.2 кОм, SOT-23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
PDTC123ET,215 PDTC123ET,215 Виробник : Nexperia 182453149899372pdtc123e_series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній