![PDTC114ET-QVL PDTC114ET-QVL](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5527/1727%7ESOT23-3%7ES23%7E3.jpg)
PDTC114ET-QVL Nexperia USA Inc.
![PDTC114ET-Q.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 230 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.65 грн |
30000+ | 1.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTC114ET-QVL Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 230 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PDTC114ET-QVL за ціною від 1.13 грн до 10.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PDTC114ET-QVL | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 9925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PDTC114ET-QVL | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 9925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PDTC114ET-QVL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PDTC114ET-QVL | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
PDTC114ET-QVL | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |