![PDTB113ET,215 PDTB113ET,215](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/E0/6F/B0/00/1/783886_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new_render3d.png&wat_scale=100p&ci_sign=53a9483b00423785bfa262542fe924f68ccc28c8)
PDTB113ET,215 NEXPERIA
![PDTB113ET.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
120+ | 3.56 грн |
140+ | 2.98 грн |
380+ | 2.29 грн |
1020+ | 2.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTB113ET,215 NEXPERIA
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.
Інші пропозиції PDTB113ET,215 за ціною від 1.88 грн до 23.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PDTB113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTB113ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTB113ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PDTB113ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PDTB113ET,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PDTB113ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
товар відсутній |