Продукція > NEXPERIA > PDTA123JQB-QZ
PDTA123JQB-QZ

PDTA123JQB-QZ Nexperia

pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2891+4.18 грн
2919+ 4.14 грн
3334+ 3.63 грн
6073+ 1.92 грн
6098+ 1.77 грн
6608+ 1.57 грн
15000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 2891
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123JQB-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PDTA123JQB-QZ за ціною від 1.58 грн до 24.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Виробник : NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.76 грн
1000+ 3.59 грн
2500+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Виробник : Nexperia pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+11.94 грн
81+ 7.39 грн
82+ 7.05 грн
155+ 3.47 грн
250+ 3.3 грн
500+ 2.89 грн
1000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 51
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Виробник : Nexperia PDTA143X_TO_124XQB_Q_SER-2721615.pdf Digital Transistors PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.42 грн
25+ 13.06 грн
100+ 6.13 грн
1000+ 4.39 грн
5000+ 3.07 грн
10000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
PDTA123JQB-QZ PDTA123JQB-QZ Виробник : NEXPERIA 3594606.pdf Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+24.16 грн
43+ 18.53 грн
100+ 9.23 грн
500+ 5.76 грн
1000+ 3.59 грн
2500+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 33
PDTA123JQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+3.07 грн
10000+ 2.45 грн
25000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PDTA123JQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.6 грн
23+ 12.99 грн
100+ 6.34 грн
500+ 4.97 грн
1000+ 3.45 грн
2000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
PDTA123JQB-QZ Виробник : NEXPERIA pdta143x_to_124xqb-q_ser.pdf PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
товар відсутній