PDTA114YM,315

PDTA114YM,315 NXP Semiconductors


PDTA114Y_SER.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 72788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11871+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 11871
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA114YM,315 NXP Semiconductors

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-883, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції PDTA114YM,315 за ціною від 2.03 грн до 2.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA114YM,315 PDTA114YM,315 Виробник : Nexperia 1513196598604389pdta114y_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.34 грн
20000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PDTA114YM,315 PDTA114YM,315 Виробник : Nexperia 1513196598604389pdta114y_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.52 грн
20000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PDTA114YM,315 PDTA114YM,315 Виробник : Nexperia 1513196598604389pdta114y_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 17445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
223+2.69 грн
10000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 223
PDTA114YM,315 Виробник : NEXPERIA PDTA114Y_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114YM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 246400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 20000
PDTA114YM,315 PDTA114YM,315 Виробник : NEXPERIA pdta114y_series_4.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
PDTA114YM,315 Виробник : NEXPERIA PDTA114Y_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; DFN1006-3,SOT883
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: DFN1006-3; SOT883
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PDTA114YM,315 PDTA114YM,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA114Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PDTA114YM,315 PDTA114YM,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA114Y_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PDTA114YM,315 PDTA114YM,315 Виробник : Nexperia PDTA114Y_SER-2938229.pdf Digital Transistors PDTA114YM/SOT883/XQFN3
товар відсутній
PDTA114YM,315 Виробник : NEXPERIA PDTA114Y_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; DFN1006-3,SOT883
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: DFN1006-3; SOT883
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній