PDTA113ET,215

PDTA113ET,215 Nexperia USA Inc.


PDTA113E_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+8.29 грн
50+ 5.88 грн
100+ 3.21 грн
500+ 2.37 грн
1000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 37
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA113ET,215 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції PDTA113ET,215 за ціною від 0.84 грн до 9.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PDTA113ET,215 PDTA113ET,215 Виробник : Nexperia PDTA113E_SER-2938331.pdf Digital Transistors PDTA113ET/SOT23/TO-236AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+9.11 грн
50+ 6.49 грн
115+ 2.44 грн
1000+ 1.67 грн
3000+ 1.32 грн
9000+ 1.12 грн
24000+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 36
PDTA113ET,215 Виробник : NXP PHGLS19170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - PDTA113ET,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 483400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25773+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 25773
PDTA113ET,215 Виробник : NEXPERIA PHGLS19170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PDTA113ET,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 18000
PDTA113ET,215 PDTA113ET,215 Виробник : Nexperia 2971pdta113e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
PDTA113ET,215 PDTA113ET,215 Виробник : NEXPERIA 2971pdta113e_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
PDTA113ET,215 PDTA113ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTA113E_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
PDTA113ET,215 PDTA113ET,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PDTA113E_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
PDTA113ET,215 PDTA113ET,215 Виробник : NEXPERIA PDTA113E_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
товар відсутній