![PCDP1065GC_T0_00601 PCDP1065GC_T0_00601](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5344/MFG_PCDP0465GB_T0_00601.jpg)
PCDP1065GC_T0_00601 Panjit International Inc.
![PCDP1065GC.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 368.74 грн |
50+ | 281.78 грн |
100+ | 241.52 грн |
500+ | 201.47 грн |
1000+ | 172.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP1065GC_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP1065GC_T0_00601
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
|
PCDP1065GC_T0_00601 | Виробник : Panjit |
![]() |
товар відсутній |
|
|
PCDP1065GC-T0-00601 | Виробник : Panjit |
![]() |
товар відсутній |