PCDP0665G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 228pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.12 грн |
| 50+ | 161.5 грн |
| 100+ | 138.42 грн |
| 500+ | 115.47 грн |
| 1000+ | 98.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP0665G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 228pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP0665G1_T0_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| PCDP0665G1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
PCDP0665G1-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||
 |
PCDP0665G1_T0_00001 | Виробник : Panjit |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode |
товару немає в наявності |
|
|
|
PCDP0665G1-T0-00001 | Виробник : Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-60WH |
товару немає в наявності |