![PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/2/15/5/43/57/137/nexpe_/manual/sot223_3d.jpg)
PBSS8110Z,135 NEXPERIA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 6.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS8110Z,135 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS8110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBSS8110Z,135 за ціною від 6.2 грн до 33.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 11377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 14182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Case: SC73; SOT223 Current gain: 80...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110Z,135 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Case: SC73; SOT223 Current gain: 80...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |