Продукція > NEXPERIA > PBSS8110T-QVL
PBSS8110T-QVL

PBSS8110T-QVL Nexperia


PBSS8110T_Q-2950454.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS8110T-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.51 грн
16+ 21.24 грн
100+ 12.54 грн
1000+ 8.29 грн
10000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS8110T-QVL Nexperia

Description: PBSS8110T-Q/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 300 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBSS8110T-QVL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PBSS8110T-QVL Виробник : NEXPERIA pbss8110t.pdf PBSS8110T-Q/SOT23/TO-236AB
товар відсутній
PBSS8110T-QVL PBSS8110T-QVL Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS8110T-Q.pdf Description: PBSS8110T-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній