PBSS8110D,115 Nexperia
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2003+ | 6.03 грн |
| 2552+ | 4.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS8110D,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS8110D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBSS8110D,115 за ціною від 3.77 грн до 36.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN 100V 1A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 700 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PBSS8110D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS8110D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 4839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 8850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 8850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 100V 1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 700 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 44059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS8110D/SOT457/SC-74 |
на замовлення 9694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS8110D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PBSS8110D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW Automotive 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |