PBSS5630PA,115 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PBSS5630PA - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 823000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2323+ | 9.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5630PA,115 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PBSS5630PA,115 за ціною від 9.42 грн до 38.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5630PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS5630PA,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PBSS5630PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS5630PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PBSS5630PA,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PBSS5630PA,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PBSS5630PA,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5630PA/SOT1061/HUSON3 |
товару немає в наявності |