![PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/568_3-HUSON.jpg)
PBSS5580PA,115 Nexperia USA Inc.
![PBSS5580PA.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.53 грн |
6000+ | 8.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5580PA,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PBSS5580PA,115 за ціною від 7.79 грн до 44.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PBSS5580PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5580PA,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 10437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5580PA,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5580PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5580PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
PBSS5580PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Case: DFN2020-3; SOT1061 Frequency: 110MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 70...265 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PBSS5580PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Case: DFN2020-3; SOT1061 Frequency: 110MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 70...265 Collector current: 4A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |