![PBSS5250T,215 PBSS5250T,215](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SOT23-40.jpg)
PBSS5250T,215 NEXPERIA
![PIRSS02260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 11.41 грн |
500+ | 8.93 грн |
1000+ | 6.69 грн |
5000+ | 5.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5250T,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBSS5250T,215 за ціною від 5.51 грн до 39.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PBSS5250T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5250T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5250T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5250T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PBSS5250T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 130...200 Collector current: 2A Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PBSS5250T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PBSS5250T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 130...200 Collector current: 2A Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |