PBSS5160PAPSX Nexperia
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.92 грн |
| 6000+ | 11.51 грн |
| 9000+ | 10.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5160PAPSX Nexperia
Description: IC TRANS PNP/PNP 60V SOT1118, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 370mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: DFN2020D-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PBSS5160PAPSX за ціною від 9.27 грн до 33.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS5160PAPSX | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5160PAPSX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5160PAPSX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5160PAPSX | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5160PAPS/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 3048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5160PAPSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: IC TRANS PNP/PNP 60V SOT1118 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5160PAPSX | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1450mW Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS5160PAPSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: IC TRANS PNP/PNP 60V SOT1118 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |