![PBSS5130T,215 PBSS5130T,215](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/daf6455b386ecb473432140f17a508fd7bbad2b9/nxv65upr.jpg)
PBSS5130T,215 Nexperia
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.32 грн |
6000+ | 5.27 грн |
9000+ | 3.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5130T,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBSS5130T,215 за ціною від 3.68 грн до 30.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 210...450 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 210...450 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 8292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PBSS5130T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |