на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 40.08 грн |
| 10+ | 35.18 грн |
| 100+ | 21.26 грн |
| 500+ | 16.59 грн |
| 1000+ | 13.45 грн |
| 3000+ | 11.15 грн |
| 9000+ | 10.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5130PAP,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 2W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBSS5130PAP,115 за ціною від 10.79 грн до 44.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5130PAP,115 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 AtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 2W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PBSS5130PAP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
PBSS5130PAP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |