Продукція > NEXPERIA > PBSS4350T,215
PBSS4350T,215

PBSS4350T,215 Nexperia


pbss4350t.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1062+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 1062
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS4350T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PBSS4350T,215 за ціною від 4.19 грн до 36.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : NEXPERIA 2945043.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+6.63 грн
1500+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 500
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4350T.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 540 mW
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.73 грн
23+ 13.01 грн
100+ 8.77 грн
500+ 6.34 грн
1000+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 15
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : NEXPERIA 2945043.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+27.31 грн
50+ 18.87 грн
100+ 10.43 грн
500+ 6.63 грн
1500+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 30
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : NEXPERIA PBSS4350T.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+30.25 грн
18+ 21.29 грн
50+ 11.9 грн
100+ 9.98 грн
137+ 6.3 грн
376+ 5.96 грн
1500+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : Nexperia PBSS4350T-1319051.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS4350T/SOT23/TO-236AB
на замовлення 7584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.8 грн
18+ 18.53 грн
100+ 7.59 грн
1000+ 6.32 грн
3000+ 5.11 грн
9000+ 4.26 грн
24000+ 4.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : NEXPERIA PBSS4350T.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.3 грн
11+ 26.53 грн
50+ 14.28 грн
100+ 11.98 грн
137+ 7.56 грн
376+ 7.15 грн
1500+ 6.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : Nexperia pbss4350t.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : NEXPERIA pbss4350t.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : Nexperia pbss4350t.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
PBSS4350T,215 PBSS4350T,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS4350T.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 540 mW
товару немає в наявності