на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1062+ | 4.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4350T,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PBSS4350T,215 за ціною від 4.19 грн до 36.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS4350T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4350T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 50V 2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 540 mW |
на замовлення 5709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4350T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4350T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 5A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4350T,215 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4350T/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 7584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4350T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 5A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2643 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS4350T,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PBSS4350T,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
PBSS4350T,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
PBSS4350T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 50V 2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 540 mW |
товару немає в наявності |