PBSS4230QAZ NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PBSS4230QA - 30V, 2A NP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 325 mW
на замовлення 335000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3904+ | 5.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4230QAZ NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 325mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 190MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBSS4230QAZ за ціною від 5.23 грн до 46.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4230QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 115500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4230QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS4230QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4230QAZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4230QA/SOT1215/DFN1010D-3 |
на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS4230QAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4230QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS4230QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |