PBSS4220V,115 NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PBSS4220V - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
Description: NEXPERIA PBSS4220V - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 12185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5255+ | 4.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4220V,115 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PBSS4220V - SMALL SIGNA, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 210MHz, Supplier Device Package: SOT-666, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 900 mW.
Інші пропозиції PBSS4220V,115 за ціною від 4.15 грн до 4.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS4220V,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: NOW NEXPERIA PBSS4220V - SMALL S Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: SOT-666 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 42118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
PBSS4220V,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||
PBSS4220V,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 20V 2A 900mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |