PBSS4160DS,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.3 грн |
| 6000+ | 6.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS4160DS,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 420mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBSS4160DS,115 за ціною від 5.57 грн до 33.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4160DS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS4160DS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PBSS4160DS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 420mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS4160DS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 4245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS4160DS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 4245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS4160DS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 420mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 12593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PBSS4160DS,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4160DS/SOT457/SC-74 |
на замовлення 30501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS4160DS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160DS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 420 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 420mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PBSS4160DS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |