PBSS3515M,315 NXP USA Inc.
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7194+ | 2.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS3515M,315 NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBSS3515M,315 за ціною від 2.91 грн до 30.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS3515M,315 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 350000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 430 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 430 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS3515M/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS3515M,315 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |