PBHV8115T,215 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 13.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBHV8115T,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBHV8115T,215 за ціною від 6.83 грн до 34.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 150V Current gain: 10...250 Collector current: 1A Type of transistor: NPN |
на замовлення 2921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 2023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBHV8115T/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 23975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 150V Current gain: 10...250 Collector current: 1A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2921 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PBHV8115T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PBHV8115T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
товар відсутній |