на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 132.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PB3510-E3/45 Vishay
Description: VISHAY - PB3510-E3/45 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 35 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V, tariffCode: 85411000, Durchlassstoßstrom: 350A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Bauform - Brückengleichrichter: SIP, usEccn: EAR99, Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage, Anzahl der Phasen: Eine Phase, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PB351, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PB3510-E3/45 за ціною від 103.68 грн до 290.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PB3510-E3/45 | Виробник : Vishay |
 Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4.2A 4-Pin Case PB Tube |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PB3510-E3/45 | Виробник : Vishay |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4.2A 4-Pin Case PB Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PB3510-E3/45 | Виробник : Vishay |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4.2A 4-Pin Case PB Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PB3510-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A PB Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, PB Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: isoCINK+™ PB Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PB3510-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Bridge Rectifiers 35A,1KV Enhanced Power Bridge |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PB3510-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - PB3510-E3/45 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 35 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 350A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PB351 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PB3510-E3/45 | Виробник : Vishay |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4.2A 4-Pin Case PB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| PB3510-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 35A; Ifsm: 350A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 35A Max. forward impulse current: 350A Version: flat Case: PB Electrical mounting: THT Leads: flat pin Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: isoCink+™ кількість в упаковці: 1200 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| PB3510-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 35A; Ifsm: 350A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 35A Max. forward impulse current: 350A Version: flat Case: PB Electrical mounting: THT Leads: flat pin Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: isoCink+™ |
товар відсутній |