P6SMB43CA-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36.8V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 40.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 59.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 750+ | 12.35 грн |
| 1500+ | 8.09 грн |
| 2250+ | 7.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P6SMB43CA-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 43V; 10.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape, Type of diode: TVS, Mounting: SMD, Tolerance: ±5%, Kind of package: reel; tape, Case: SMB, Semiconductor structure: bidirectional, Leakage current: 1µA, Features of semiconductor devices: glass passivated, Manufacturer series: P6SMB, Technology: TransZorb®, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 36.8V, Max. forward impulse current: 10.1A, Breakdown voltage: 43V, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції P6SMB43CA-E3/52 за ціною від 2.51 грн до 32.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
P6SMB43CA-E3/52 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.1A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36.8V Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 40.9V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 59.3V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 3420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
P6SMB43CA-E3/52 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 43V Bidirect |
на замовлення 3953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P6SMB43CA-E3/52 | Виробник : Vishay |
0,6kW, 43V, bidirectional replacement: SM6T43CA P6SMB43CA DO214AA(SMB) DT6SMB43CA кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
P6SMB43CA-E3/52 | Виробник : Vishay |
TVS Diode Single Bi-Dir 36.8V 600W 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
P6SMB43CA-E3/52 | Виробник : Vishay |
Diode TVS Single Bi-Dir 36.8V 600W 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
P6SMB43CA-E3/52 | Виробник : Vishay |
Diode TVS Single Bi-Dir 36.8V 600W 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
P6SMB43CA-E3/52 | Виробник : Vishay |
Diode TVS Single Bi-Dir 36.8V 600W 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
P6SMB43CA-E3/52 | Виробник : VISHAY |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 43V; 10.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SMB Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 1µA Features of semiconductor devices: glass passivated Manufacturer series: P6SMB Technology: TransZorb® Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 36.8V Max. forward impulse current: 10.1A Breakdown voltage: 43V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
P6SMB43CA-E3/52 | Виробник : VISHAY |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 43V; 10.1A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SMB Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 1µA Features of semiconductor devices: glass passivated Manufacturer series: P6SMB Technology: TransZorb® Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 36.8V Max. forward impulse current: 10.1A Breakdown voltage: 43V |
товар відсутній |