Технічний опис P6SMB200CAHM4G Taiwan Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape, Mounting: SMD, Case: SMB, Kind of package: reel; tape, Max. forward impulse current: 2.2A, Breakdown voltage: 200V, Leakage current: 1µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 171V, Semiconductor structure: bidirectional, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P6SMB200CAHM4G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
P6SMB200CAHM4G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Mounting: SMD Case: SMB Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 2.2A Breakdown voltage: 200V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 171V Semiconductor structure: bidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
P6SMB200CAHM4G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
P6SMB200CAHM4G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
P6SMB200CAHM4G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape Mounting: SMD Case: SMB Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 2.2A Breakdown voltage: 200V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 171V Semiconductor structure: bidirectional |
товар відсутній |