Технічний опис P4SMA30A M2G Taiwan Semiconductor
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 400W; 30V; 10A; unidirectional; ±5%; SMA; reel,tape, Max. off-state voltage: 25.6V, Max. forward impulse current: 10A, Case: SMA, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Breakdown voltage: 30V, Leakage current: 1µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.4kW, Tolerance: ±5%, Semiconductor structure: unidirectional, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P4SMA30A M2G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
P4SMA30A M2G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 30V; 10A; unidirectional; ±5%; SMA; reel,tape Max. off-state voltage: 25.6V Max. forward impulse current: 10A Case: SMA Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Breakdown voltage: 30V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Tolerance: ±5% Semiconductor structure: unidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
P4SMA30A M2G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
P4SMA30A M2G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS; 400W; 30V; 10A; unidirectional; ±5%; SMA; reel,tape Max. off-state voltage: 25.6V Max. forward impulse current: 10A Case: SMA Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Breakdown voltage: 30V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Tolerance: ±5% Semiconductor structure: unidirectional |
товар відсутній |