NXH80B120H2Q0SG ONSEMI

Description: ONSEMI - NXH80B120H2Q0SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 40 A, 2.2 V, 103 W, 150 °C, PIM, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 40, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2, Verlustleistung Pd: 103, euEccn: NLR, Verlustleistung: 103, Bauform - Transistor: PIM, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Anzahl der Pins: 22, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 40, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).