Продукція > ONSEMI > NXH600B100H4Q2F2S1G
NXH600B100H4Q2F2S1G

NXH600B100H4Q2F2S1G onsemi


NXH600B100H4Q2F2S1G_D-3150665.pdf Виробник: onsemi
IGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Flying Capacitor Boost 1000 V, 200 A IGBT, 1200 V, 60 A SiC Diode Solder pins
на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+18885.07 грн
10+ 17435.54 грн
25+ 14673.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH600B100H4Q2F2S1G onsemi

Description: FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 56-PIM (93x47), IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 173 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Power - Max: 422 W, Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NXH600B100H4Q2F2S1G за ціною від 15678.32 грн до 17383.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NXH600B100H4Q2F2S1G Виробник : onsemi nxh600b100h4q2f2s1g-d.pdf Description: FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 173 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 422 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+17383.54 грн
10+ 16031.98 грн
36+ 15678.32 грн