![NXH400N100H4Q2F2SG NXH400N100H4Q2F2SG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4841/NXH400N100H4Q2F2PG.jpg)
NXH400N100H4Q2F2SG onsemi
![nxh400n100h4q2f2-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16028.83 грн |
12+ | 14456.65 грн |
36+ | 13913.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH400N100H4Q2F2SG onsemi
Description: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V, Dauer-Kollektorstrom: 409A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V, Verlustleistung Pd: 959W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 959W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 409A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NXH400N100H4Q2F2SG за ціною від 18066.08 грн до 23252.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NXH400N100H4Q2F2SG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
NXH400N100H4Q2F2SG | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V Dauer-Kollektorstrom: 409A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V Verlustleistung Pd: 959W euEccn: NLR Verlustleistung: 959W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 409A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|