NXH100B120H3Q0STG onsemi
Виробник: onsemiIGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM
на замовлення 24 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6490.7 грн |
| 10+ | 5840.97 грн |
| 24+ | 4846.33 грн |
| 48+ | 4739.01 грн |
| 120+ | 4621.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH100B120H3Q0STG onsemi
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5), IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 186 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V.
Інші пропозиції NXH100B120H3Q0STG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH100B120H3Q0STG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 186000mW Tray |
товар відсутній |
||
 |
NXH100B120H3Q0STG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5) IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 186 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V |
товар відсутній |